【快讯】英特尔推进4年5节点，完成首台High-NA EUV组装2024/4/19

英特尔Intel宣布完成了业界首台高数值孔径极紫外光曝光机（High-NA EUV）组装，该设备安装于奥勒冈州研发基地，目前正在进行校准工作，规划于Intel 14A制程导入High-NA EUV，推进「4年5节点（5N4Y）」的後续制程蓝图。High-NA EUV相较于现行EUV可印刷尺寸缩小1.7倍，将可实现2D微缩，使电晶体密度提高2.9倍。相较于0.33NA EUV，High-NA EUV(或称0.55NA EUV)带来更好的精准度及更高解析度的图像化能力，减少每次曝光的光量，从而减少列印每层所需的时间并增加晶圆产量。英特尔预计于明年Intel 18A的产品验证以及Intel 14A量产中，使用0.33NA EUV和0.55NA EUV以及其他微影制程，而英特尔也预计购置High-NA EUV的下一代系统，该系统每小时产能超过200片晶圆。根据综合报导，台积电(2330)自7+奈米开始导入EUV设备，分析师预期，相较于英特尔率先取得High-NA EUV，并预计导入Intel 18A後的节点，台积电应会采取较为谨慎的策略，或在A14制程之後才会导入。