《焦点》中国厂商在生产AI芯片组的高带宽内存方面取得进展

据消息人士和相关文件，两家中国芯片制造商正处于生产用于人工智能(AI)芯片组的高带宽内存(HBM)半导体的早期阶段。

在中美关系紧张导致美国对华出口先进芯片和其他一些零部件受限的情况下，在HBM方面取得进展，即使只是较老版本的HBM，也是中国追求科技自给自足的关键里程碑。

据三名听取简报的消息人士透露，中国最大的DRAM芯片制造商长鑫存储与芯片封装测试公司通富微电 002156合作开发了一款HBM芯片样品。其中两人说，这些芯片正在向客户展示。

另一个例子是，武汉新芯正在建设一家工厂，每月将能够生产3,000块12英寸HBM晶圆。据企业数据库企查查(qicacha)的文件显示，该工厂原计划今年2月开工兴建。

其中两位消息人士称，长鑫存储和其他中国芯片企业也一直在与韩国和日本半导体设备公司举行定期会议，以购买开发HBM的工具。

消息人士未获授权就此事发表评论，拒绝透露身份。长鑫存储和通富微电未回复置评请求。

武汉新芯及其母公司没有回应置评请求。武汉新芯已向监管机构表示有意上市，其母公司也是长江存储的母公司。长江存储表示，它不具备大规模生产HBM的能力。

长鑫存储和武汉新芯都是私营企业，但在中国大举投资发展芯片行业之际，它们获得了地方政府用于推进科技进步的资金支持。

武汉市政府也没有回应置评请求。

另外，据其中一名消息人士和另一名知情人士称，中国科技巨头华为 (HWT.UL)计划在2026年前与其他国内公司合作生产HBM2芯片。华为被美国视为国家安全威胁，并受到制裁。

据The Informatio在4月报道，由华为牵头、中国政府支持的一批中国芯片公司计划在2026年前生产HBM，其中包括福建省晋华集成电路有限公司。这是一家也受到美国制裁的存储芯片制造商。

华为没有发表评论。目前尚不清楚华为从哪里采购HBM。福建晋华没有回应置评请求。

**还有很长的路要走**

HBM是处理复杂人工智能(AI)应用程序产生的大量数据的理想选择，在AI热潮中，HBM的需求飙升。

HBM市场目前由韩国的SK海力士 000660和三星 005930以及美国的美光(Micron Technology) MU主导，这三家公司都生产最新标准的HBM3芯片，并正在努力在今年向客户推出第五代HBM或HMB3E。

据两位消息人士和另一位直接了解此事的人士透露，中国目前的努力重点是HBM2。

美国本身并没有限制HBM芯片的出口，但HBM3芯片是使用美国技术制造的，根据限制措施，包括华为在内的许多中国公司被禁止使用美国技术。

曾是IT分析师的White Oak Capital投资总监Nori Chou估计，中国芯片制造商目前在HBM领域落后全球其他竞争对手10年。

“中国还有很长的路要走，因为目前即使在传统内存市场，它也缺乏与韩国同行竞争的优势，”Chou说。

“尽管如此，(长鑫存储)与通富微电的合作对中国来说是一个重要的机会，可以提升其在HBM市场中的内存和先进封装技术方面的能力。”

长鑫存储、通富微电和华为提交的专利表明，在国内开发HBM的计划至少可以追溯到三年前，当时中国芯片行业正日益成为美国出口管制的目标。

根据咨询机构Anaqua的AcclaimIP数据库显示，长鑫存储已在美国、中国大陆和台湾申请了近130项专利，涉及与HBM芯片制造和功能相关的不同技术问题。其中14项于2022年公布，46项于2023年公布，69项于2024年公布。

上个月公布的一项中国专利显示，长鑫存储正在研究混合键合等先进封装技术，以制造更强大的HBM产品。另一份文件显示，长鑫存储还在投资开发制造HBM3所需的技术。(完)